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    CVD技術和工作原理分析
    發布時間:2014-12-01 瀏覽:2588 次

      一般把反應物是氣態而生成物之一的固態的反應稱為CVD反應,CVD技術原理是建立在化學反應基礎上的。

      目前常用的CVD沉積反應一般有以下幾種原理。

      1、熱分解反應

      2、氫還原反應

      3、置換或合成反應

      4、化學輸運反應

      5、固相擴散反應

      CVD技術的優點主要包括以下幾個方面:

      1、應用范圍廣

      2、成膜速度快

      3、工作是在低真空條件下進行的,因此鍍膜的繞射性好,在形狀復雜,如有深孔,細孔的工件上都能均勻鍍膜。

      4、由于反應氣體、反應產物和基片的相互擴散,可以得到附著強度好的鍍膜,這對于制備耐磨、抗腐蝕等表面強化膜是很重要的。

      5、由于薄膜生長的溫度比膜材的熔點低得多,因此能得到高純度、結晶完全的膜層,這是某些半導體用鍍層所必需的。膜層純度高,結晶完全是由于低溫生長,反應氣體和反應器壁以及其中所含不純物幾乎不發生反應,對膜層玷污少等原因所致。

      6、CVD可以獲得平滑的沉積表面。在沉積過程中成核率高,成核密度大,在整個平面上分布均勻,從而可產生宏觀平滑的表面。

      7、輻射損傷低,這是制造MOS(金屬氧化物半導體)等器件不可缺少的條件。

      CVD技術的一些缺點主要有:

      1、有時參加沉積的反應物及反應后的氣體易燃、易爆、有毒或具有腐蝕性,因此需要采取預防措施。2、欲對基材 局部或某個表面沉積薄膜很困難,3、反應溫度高,一般為1000攝氏度左右。

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